제품소개

ANSYS DesignXplorer

ANSYS DesignXplorer 제품문의

설계 변경이나 신제품 개발을 지원하는 최적설계 도구

  • Design Process개선, 설계 및 개발 기간 단축, 제품 개선 및 품질 향상에 초점을 맞춰 효율성 향상을 위한 다양한 기능과 최적화 방법등을 제공합니다.

Design Exploration for All Physics

ANSYS DesignXplorer technology와 폭 넓은 multiphysics solution을 결합하여 사용하게 되면 모든 물리계에 대한 최적화를 진행할 수 있습니다.
ANSYS DesignXplorer는 Workbench 환경으로부터 모든 물리계(구조, 열, 비선형, 충돌, 유동, 전자기장, multiphysics)의 최적화를 지원합니다.
다물리계(multiple physics)에서 연성으로 구성된 해석은 독립적으로 분석될 수 있거나 또는 결합된 방법으로도 지원됩니다.

  • 다양한 연성해석의 Parametric analysis

Design Parameter

DesignModeler 및 다양한 CAD S/W에서 생성한 Parameter에 대해 양방향으로 Parameter Control이 가능하며, 해석환경에서 설정한 하중, 재료물성들도 최적화 해석의 Parameter로 사용할 수 있습니다.

  • 다양한 CAD S/W들의 Parameter 호환성

What if Case Study

  • DesignXplorer Simulation은 "what if"라는 질문에 답을 구하는 도구로 사용할 수 있습니다.
  • 만약, 적용된 하중이 10%의 변화율을 가지면 제품에 어떤 결과가 발생할 것인가?
  • 어떤 parameter가 설계된 제품의 성능에 직접적인 영향을 미칠 것인가

Parameter Correlation

최적의 설계 조건 달성은 다양한 변수들과 목적함수의 상관관계를 만드는 것을 의미합니다. 목적함수를 충족하는 최적 설계점의 탐색은 direct optimization algorithm을 사용하는 것에 의존하면 제대로 수행할 수 없습니다. 그 이유는"what-if"의 질문에 답을 얻기 위해, 현재 고려되는 설계점과 제품 성능에 미치는 설계변수의 영향을 정량화 하는 것에 필요한 정보를 확보하기가 불충분하기 때문입니다. 그렇기에 고려되는 설계점에서 예기치 않은 결과를 얻지 않도록 올바른 결정을 위한 정확한 정보를 얻을 수 있어야 합니다. Parameter Correlation tool은 correlation matrices, determination matrices, correlation scatter plots, sensitivity chart들을 생성하여 중요하지 않은 입력변수를 식별하는데 도움을 줍니다.

Correlation Coefficient Formulation

Spearman’s rank correlation

Correlation Matrix and Plot

  • Correlation Matrix와 Plot chart

Determination Matrix and Plot

  • Determination Matrix와 Plot chart

Determination Histogram

  • Determination Histogram에 대한 chart

Input Parameter type

Parameter Type Description Example
Discrete 연속적이지 않은 특정 값을 설정 Number of holes
Number of weld points
Number of prism layers
Continuous 변수의 상-하한 값 범위에서 연속적인 값을 설정 Thickness, Force, Temperature
Manufacturable 이론적으로 연속적인 값이지만,
가공과정에서 혹은 현실적인 한계의 값을 설정
Drill bit sizes, readily available bolts, screws

DOE((Design of Experiment) Method

  • CCD(face centered), CCD(rotatable), Box Behnken, LHS, OSF type

Sparse Grid

  • Sparse Grid의 Refinement Process

Response Surface Model

  • 반응표면 모델 생성 및 Goodness of Fit

  • Kriging과 Sparse Grid 모델의 Relative Error에 대한 수렴 그래프

Goal Driven Optimization

Good design은 제품 성능과 설계 변수 둘 사이의 상관관계를 확인하는 것에서 출발합니다. 대부분의 경우, 설계 변수들과 제품의 설계 목적을 따라 "최적" 설계 조건을 결정하게 됩니다. ANSYS DesignXplorer는 최적조건을 탐색하기 위한 몇 가지 반응표면(response surface)모델들과 상관관계를 분석하는 도구들, 그리고 다목적 검색과 같은 최적화 알고리즘들을 제공합니다.
이 기술의 분석은 입력한 구속조건들, 각 생산 단가, 그리고 사용자가 선택한 조건으로부터 최적 설계 후보군을 제공합니다.

Optimization Method

  • 목적함수와 제약조건에 대한 설정

  • 목적함수 검색에 대한 History chart

  • 다목적 최적화에 대한 최적 설계 조건으로 검색된 후보군

Samples Chart

  • Pareto Fronts Samples chart

Tradeoff Chart

  • Two-Dimensinal Tradeoff Chart Showing Feasible and infeasilble Points

Six Sigma Analysis

일반적인 분석은 입력변수에 고정된 값을 정의하고 이러한 가정에 대해 안전계수를 도입하고 있습니다. (deterministic)
Six Sigma 설계는 입력 값의 분산 데이터를 고려하여 시스템의 응답에 어떤 영향을 미치는지에 대한 통찰력을 제공할 수 있습니다. (probabilistic)

다음과 같은 질문에 도움될 수 있습니다.

  • 입력변수의 distribution 정의

  • 입력변수의 distribution에 의한 출력변수의 distribution

Excel Interoperability

Workbench project 환경에서 Excel data를 변수로 사용할 수 있습니다. 함수계산을 통한 하중 적용이 필요한 경우(Excel -> ANSYS DX) 혹은 해석결과 값을 참조하여 제작비용과 같은 계산이 필요한 경우 (ANSYS DX -> Excel) Excel data를 연동하여 활용할 수 있습니다.

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교육상세내용
Workbench Mechanical DesignModeler

SI/PI/EMI 기초 교육

본 교육은 ANSYS SIwave와 HFSS를 이용한 SI/PI/EMI 해석 기초이론 교육입니다. 특히 전기전자 분야를 전공하지 않은 비전공자를 대상으로 전기전자 및 일반 산업 기기 전반에 걸쳐 주요관심사로 대두되고 있는 SI/PI/EMI에 대하여  쉽게 이해하고 접근할 수 있도록 구성하였습니다.
주요 내용으로 전자기학 기초, 전자부품 기초 및 SI/PI/EMI 기초로 구성 되어 있습니다. 본 과정을 수료함으로써 현업에서의 SI/PI/EMI에 대한 이해에 도움이 될 것입니다.

#일시: 2016년 9월 27일(화) 10:00~17:00
#강사: 태성에스엔이 김지원 부장 / 
#교육비: 무상

  10:00~11:30 : 전기전자 기초 교육
- SI/PI/EMI 이해를 돕기 위한 기초 이론 교육
- 전자기학 기초
- 전자부품 기초

  11:40~13:00 : SI/PI 기초 이론
- Signal Integrity 기초
- Power Integrity 기초 
13:00~14:00 : 점심 식사
14:00~15:30 : EMI 기초 이론
- EMI/EMC 기초 이론 교육
- EMI/EMC 적용 사례 분석

  15:40~17:00 : ANSYS SI/PI/EMI 해석 Solution Q&A

본 교육은 ANSYS SIwave와 HFSS를 이용한 SI/PI/EMI 해석 기초이론 교육입니다. 특히 전기전자 분야를 전공하지 않은 비전공자를 대상으로 전기전자 및 일반 산업 기기 전반에 걸쳐 주요관심사로 대두되고 있는 SI/PI/EMI에 대하여  쉽게 이해하고 접근할 수 있도록 구성하였습니다.
주요 내용으로 전자기학 기초, 전자부품 기초 및 SI/PI/EMI 기초로 구성 되어 있습니다. 본 과정을 수료함으로써 현업에서의 SI/PI/EMI에 대한 이해에 도움이 될 것입니다.

#일시: 2016년 9월 27일(화) 10:00~17:00
#강사: 태성에스엔이 김지원 부장 / 
#교육비: 무상

  10:00~11:30 : 전기전자 기초 교육
- SI/PI/EMI 이해를 돕기 위한 기초 이론 교육
- 전자기학 기초
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  11:40~13:00 : SI/PI 기초 이론
- Signal Integrity 기초
- Power Integrity 기초 
13:00~14:00 : 점심 식사
14:00~15:30 : EMI 기초 이론
- EMI/EMC 기초 이론 교육
- EMI/EMC 적용 사례 분석

  15:40~17:00 : ANSYS SI/PI/EMI 해석 Solution Q&A

본 교육은 ANSYS SIwave와 HFSS를 이용한 SI/PI/EMI 해석 기초이론 교육입니다. 특히 전기전자 분야를 전공하지 않은 비전공자를 대상으로 전기전자 및 일반 산업 기기 전반에 걸쳐 주요관심사로 대두되고 있는 SI/PI/EMI에 대하여  쉽게 이해하고 접근할 수 있도록 구성하였습니다.
주요 내용으로 전자기학 기초, 전자부품 기초 및 SI/PI/EMI 기초로 구성 되어 있습니다. 본 과정을 수료함으로써 현업에서의 SI/PI/EMI에 대한 이해에 도움이 될 것입니다.

#일시: 2016년 9월 27일(화) 10:00~17:00
#강사: 태성에스엔이 김지원 부장 / 
#교육비: 무상

  10:00~11:30 : 전기전자 기초 교육
- SI/PI/EMI 이해를 돕기 위한 기초 이론 교육
- 전자기학 기초
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  11:40~13:00 : SI/PI 기초 이론
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14:00~15:30 : EMI 기초 이론
- EMI/EMC 기초 이론 교육
- EMI/EMC 적용 사례 분석

  15:40~17:00 : ANSYS SI/PI/EMI 해석 Solution Q&A